具体描述
《模拟/射频集成电路设计的晶体管级建模(影印版)》作者对于MOS 晶体管模型有很深刻的理解。第一章涉及2/3D工艺和器件仿真，以此作为理解半导体结构内部行为的有力工具。在接下来的章节中，作者详细讨论了PSP 和EKV模型的主流发展，比较了基于物理的MOSFET模型和通常用于射频电路的基于测量的模型，这些比较包括相关的经验模型和测量模型。在后续的章节中，作者讨论了小尺寸MOSFET器件的改善方法。最后，介绍了诸如VHDL-AMS 和 Verilog-A等硬件描述语言，说明了前述不同模型的实际可实现性及标准化。
作者简介
目录信息
Foreword Hiroshi IwaiIntroduction Wladek Grabinski, Bart Nauwelaers and Dominique Schreurs12/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behaviorof semiconductor structuresDaniel Donoval, Andrej Vrbicky, Ales Chvala, and Peter Beno2PSP: An advanced surface-potential-based MOSFET modelR. van Langevelde, and G. Gildenblat3EKV3.0: An advanced charge based MOS transistor model.A design-oriented MOS transistor compact model for next generation CMOSMatthias Bucher, Antonios Bazigos, Francois Krummenacher,Jean-Micehl Sallese, and Christian Enz4Modelling using high-frequency measurementsDominique Schreurs5Empirical FET modelsIltcho Angelov6Modeling the SOI MOSFET nonlinearities.An empirical approachB. Parvais, A. Siligaris7Circuit level RF modeling and designNobuyuki Itoh8On incorporating parasitic quantum effects in classical circuit simulationsFrank Felgenhauer, Maik Begoin and Wolfgang Mathis9Compact modeling of the MOSFET in VHDL-AMSChristophe Lallement, Francois Pecheux, Alain Vachoux and Fabien Pregaldiny10Compact modeling in Verilog-ABoris Troyanovsky, Patrick O'Halloran and Marek MierzwinskiIndex
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